↓↓下载地址在最下面↓↓

8 月 29 日音讯，SK 海力士昔日颁布发表，全世界初次乐成开辟出采纳第六代 10 纳米级（1c）工艺的 16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向天下展示了 10 纳米出面的超微细化存储工艺技能。SK 海力士夸大：“跟着 10 纳米级 DRAM 技能的世代相传，微细工艺的难度也随之加年夜，但公司以经过业界最高功能失掉承认的第五代（1b）技能力为根底，进步了计划实现度，领先打破了技能极限。公司将正在年内实现 1c DDR5 DRAM 的量产预备，从来岁开端供给产物，引领半导体存储器市场开展。”SK 海力士以 1b DRAM 平台扩大的体式格局开辟了 1c 工艺。SK 海力士技能团队以为，由此不只能够增加工艺高度化进程中能够发作的测验考试过错，还能够最无效地将业界内以最高功能 DRAM 遭到承认的 SK 海力士 1b 工艺劣势转移到 1c 工艺。并且，SK 海力士正在局部 EUV 工艺中开辟并合用了新资料，也正在全部工艺中针对于 EUV 合用工艺停止了优化，由此确保了本钱合作力。与此同时，正在 1c 工艺上也停止了计划技能改造，与前一代 1b 工艺比拟，其消费率进步了 30% 以上。据理解，这次 1c DDR5 DRAM 将次要用于高功能数据中间，其运转速率为 8Gbps（每一秒 8 千兆比特），与前一代比拟速率进步了 11%。别的，能效也进步了 9% 以上。跟着 AI 期间的到来，数据中间的耗电量正在持续添加，假如经营云效劳的全世界客户将 SK 海力士 1c DRAM 采纳到数据中间，公司猜测其电费最高能增加 30%。